基質(zhì)輔助脈沖激光蒸發(fā)(MAPLE)是PLD的一種變體。這是由NRL集團(tuán)新引入的技術(shù)，以促進(jìn)某些功能有機材料的薄膜沉積。基于UV (5-6 eV)的傳統(tǒng)PLD技術(shù)中，光化學(xué)反應(yīng)可能會惡化有機分子、聚合物等的功能。而在MAPLE中，通過將待沉積的有機物(或聚合物)與吸收激光波長的溶劑(基質(zhì))混合來制備特殊的靶。除了光學(xué)吸收外，在沉積條件下的高蒸氣壓是基質(zhì)的先決條件。然后用液氮冷卻液體目標(biāo)物，使其凍結(jié)為固體。激光輻射主要被目標(biāo)的高揮發(fā)性、冷凍的溶劑(基質(zhì))分子吸收，這些分子隨后從固體目標(biāo)中脫離，捕獲和帶走感興趣的有機分子。在它們向基片傳輸?shù)倪^程中，高揮發(fā)性的基質(zhì)分子被抽走，將有機分子輸送到基片上沉積薄膜。它成功彌補了傳統(tǒng) PLD的缺陷。

特點

獨立的MAPLE PLD系統(tǒng)。

有機和聚合物薄膜的沉積。

在同一室的附加沉積源(可選):脈沖電子沉積(PED)、射頻/直流濺射和直流離子源。

負(fù)載鎖定基底階段。

與XPS分析系統(tǒng)集成，晶片就地從PLD系統(tǒng)轉(zhuǎn)移到分析系統(tǒng)

應(yīng)用領(lǐng)域

脈沖激光沉積（Pulsed Laser Deposition）是一種用途廣泛的薄膜沉積技術(shù)。脈沖激光快速蒸發(fā)靶材，生成與靶材組成相同的薄膜。PLD 的之處是能量源（脈沖激光）位于真空室的外面。這樣，在材料合成時，工作壓力的動態(tài)范圍很寬，達(dá)到10-10 Torr ~ 100 Torr。通過控制鍍膜壓力和溫度，可以合成一系列具有功能的納米結(jié)構(gòu)和納米顆粒。另外，PLD 是一種“ 數(shù)字" 技術(shù)，在納米尺度上進(jìn)行工藝控制（?/pulse）。
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1. PLD真空室尺寸：12 " / 18"直徑(Pioneer 120-Advanced/ Pioneer 180 Models).

2. 襯底尺寸：直徑2“和/或多種1厘米x1厘米的樣品。

3. 襯底加熱：500℃，擁有可編程的加熱器。

4. 基底旋轉(zhuǎn)：20 RPM。軟件控制。

5. 目標(biāo)階段：液氮冷卻；單目標(biāo)階段為標(biāo)準(zhǔn)；多個目標(biāo)(可選)

6. 真空裝夾：襯底負(fù)載制動

7. 工業(yè)廢氣：按要求處理氣體。50 - 100 SCCM mfc電池

8. 軟件：Windows 7/Labview 2013。